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SiB914DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
6
1.0
5
V GS = 5 thr u 2.5 V
V GS = 2 V
0. 8
4
0.6
3
2
V GS = 1.5 V
0.4
T C = 25 °C
1
0
V GS = 1 V
0.2
0.0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.5
0.4
0.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
200
160
120
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.2
0.1
0.0
V GS = 1.2 V
V GS = 1.5 V
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
8 0
40
0
C rss
C oss
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
5
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
4
I D = 2.5 A
1.5
V GS = 1.8 V; I D = 1.9 A
V DS = 4 V
3
1.3
V GS = 2.5 V; I D = 2.2 A
2
1
0
V DS = 6.4 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V; I D = 2.5 A
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68792
S-81946-Rev. A, 25-Aug-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
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